2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[14a-D10-1~9] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2015年3月14日(土) 09:30 〜 11:45 D10 (16-305)

11:00 〜 11:15

[14a-D10-7] 電子ビーム吸収電流(EBAC)法によるReRAMのメモリ動作領域の解析

〇島 久1、秋永 広幸1 (1.産総研ナノエレ部門)

キーワード:抵抗変化メモリ、酸化物