11:15 〜 11:30 △ [15a-B1-9] p++-GaN薄層を用いた縦型p++-n接合ダイオード 〇柘植 博史1、堀切 文正2、成田 好伸2、金田 直樹3、中村 徹1、三島 友義1 (1.法政大学、2.サイオクス、3.クオンタムスプレッド)