13:45 〜 14:00 △ [14p-A35-3] TMAS誘導シリカへの包埋によるInP/ZnS量子ドット蛍光体の高耐光性化 〇(M1)渡邉 太一1、和田 知歌子1、磯 由樹1、磯部 徹彦1、佐々木 洋和2 (1.慶大理工、2.昭栄化学工業)