14:45 〜 15:00 △ [13p-A35-7] BeドープInGaAsPバルクにおけるスピン緩和時間のキャリア濃度依存性(10-300 K) 〇山田 築1、大木 俊介1、石川 友樹1、亀崎 拓也1、Lu Shulong2、Ji Lian2、竹内 淳1 (1.早大先進理工、2.SINANO-CAS)