09:45 〜 10:00 [16a-C302-4] 4H-SiC Si面およびC面上に成長した熱酸化膜の光電子収率分光法による電子占有欠陥評価 〇渡辺 浩成1、大田 晃生1、池田 弥央1、牧原 克典1、宮崎 誠一1 (1.名大院工)