14:30 〜 14:45 [15p-B8-5] in-situ Bドーピングした歪SiGe層を用いたSi光変調器の検討(Ⅱ) 〇藤方 潤一1、野口 将高1、韓 在勲2、高橋 重樹1、竹中 充2、中村 隆宏1 (1.光電子融合基盤技術研究所、2.東京大学)