11:45 〜 12:00 △ [15a-B1-11] 自立GaN基板上p-n接合ダイオードにおける順方向電流集中領域の検討Ⅱ 〇林 賢太郎1、太田 博1、堀切 文正2、成田 好伸2、吉田 丈洋2、中村 徹1、三島 友義1 (1.法政大、2.サイオクス)