10:30 〜 10:45 [16a-A32-5] ジデシルホスホン酸(C12H25-PA)をゲート絶縁膜に用いたMoS2 FETの作製 〇居駒 遼1、川那子 高暢1、小田 俊里1 (1.東工大未来研)