09:30 〜 11:30 [16a-P5-32] 数値解析による InGaN/GaN 多重量子井戸内の圧縮歪みに対する補償効果の検討 〇向山 裕次1、M.E. Rudinsky2、K. A. Bulashevich2、E.V. Yakovlev2 (1.STR Japan株式会社、2.STR Group)