14:15 〜 14:30 [13p-B13-3] ゲート電流ストレスによるInGaAsトンネルFETの電気特性の変動 〇尹 尚希1,2、張 志宇1,2、安 大煥1,2、竹中 充1,2、高木 信一1,2 (1.東京大学、2.JST CREST)