13:30 〜 15:30 [13p-P5-20] SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関するナノ秒オーダーの長時間分子動力学解析 〇今泉 俊介1、高本 聡1、山崎 隆浩2,4、奈良 純2,4、大野 隆央2,3,4、泉 聡志1 (1.東大工、2.物材機構、3.東大生研、4.MARCEED)