トンバインガルディ

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 A31 (302A)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[15a-A31-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

10:15 〜 10:30

[15a-A31-6] 電気化学堆積による透明p型半導体薄膜NiO_xの作製

〇トンバインガルディ¹、市村正也¹ (1.名工大)