大澤弘樹

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

10:15 〜 10:30

△ [15a-B10-6] 自己整合四端子平面型メタルダブルゲート低温poly-Si TFTのV_th制御を利用したE/Dインバータの特性

〇大澤弘樹¹、原明人¹ (1.東北学院大工)