菱谷大輔

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 09:00 〜 12:15 B10 (展示控室1)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[15a-B10-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

10:30 〜 10:45

△ [15a-B10-7] 液体Si蒸着法を用いた結晶Si薄膜トランジスタの作製と特性評価

〇菱谷大輔¹、石河泰明¹、池上浩²、Trifunovic Miki³、石原良一³、下田達也⁴、浦岡行治¹ (1.奈良先端大、2.九大シス情、3.デルフト工大、4.北陸先端大)