Daiki Kato

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 09:00 〜 10:30 C41 (日航4階朱雀A)

一般セッション(口頭講演)
| 10 スピントロニクス・マグネティクス
| 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

[15a-C41-1~6] 10.3 GMR・TMR・磁気記録技術

09:00 〜 09:15

▲ [15a-C41-1] Magnetic Tunnel Junction with Amorphous NiFeSiB Electrode for Highly Sensitive Magnetic Field Sensor

〇Daiki Kato¹、Mikihiko Oogane¹、Kosuke Fujiwara¹、Junichi Jono²、Hiroshi Naganuma¹、Masaaki Tsuchida²、Yasuo Ando¹ (1.Tohoku Univ.、2.Konicaminolta)