16:30 〜 16:45 △ [15p-A22-12] ZrO2絶縁膜/In-Si-Oチャネル界面が酸化物TFTのトランジスタ特性へ及ぼす影響 〇(D)栗島 一徳1,2、生田目 俊秀2、木津 たきお2、塚越 一仁2、女屋 崇1,2、大井 暁彦2、知京 豊裕2、小椋 厚志1 (1.明治大、2.物材機構 WPI-MANA)