加藤弘一

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 13:45 〜 17:30 B2 (展示ホール内)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-B2-1~14] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

14:15 〜 14:30

[15p-B2-3] SiO₂/Si 界面層付近での水素分子の振動数変化の解析

〇加藤弘一¹、福谷克之¹ (1.東大生産研)