Mengnan Ke

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発表者・著者、共著者

2016年9月15日(木) 13:15 〜 17:45 B9 (展示ホール内)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[15p-B9-1~17] 13.3 絶縁膜技術

17:15 〜 17:30

▲ [15p-B9-16] Reduction of slow trap density in Al₂O₃/n-Ge MOS interfaces by insertion of GeO_xN_y

〇Mengnan Ke^1,2、Xiao Yu^1,2、Mitsuru Takenaka^1,2、Shinichi Takagi^1,2 (1.Tokyo Univ.、2.JST-CREST)