09:15 〜 09:30 [16a-A21-2] 分極電荷による高ホール濃度を有するp型AlGaNの作製 〇安田 俊輝1、竹内 哲也1、岩谷 素顕1、上山 智1、赤﨑 勇1,2、天野 浩2,3 (1.名城大理工、2.名古屋大赤﨑記念研究センター、3.名古屋大未来材料システム研究所)