10:00 〜 10:15 [16a-C302-5] ドライ酸化とウェット酸化で成長させた(000-1)4H-SiC MOSFETの電流検出型電子共鳴分光を用いた酸化膜の比較 〇(D)鹿児山 陽平1、岡本 光央2、吉岡 裕典2、原田 信介2、山崎 隆浩3、大野 隆央3、梅田 享英1 (1.筑波大数理、2.産総研、3.NIMS)