11:15 〜 11:30 [16a-C302-9] 直列抵抗を考慮したインピーダンス測定によるSiC MOS界面解析 〇岡本 大1、張 旭芳1、畠山 哲夫2、染谷 満2、原田 信介2、小杉 亮治2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大、2.産総研)