09:30 〜 11:30 [16a-P5-20] 4H-SiC上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長初期過程 〇石丸 大樹1、戸松 侑輝1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)