一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
09:00 〜 09:15
〇磯野 凌1、針谷 達1、飯島 佑史1、今井 貴大1、山野 将史1、須田 善行1、滝川 浩史1、羽渕 仁恵2 (1.豊橋技科大、2.岐阜高専)
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09:15 〜 09:30
〇山野 将史1、針谷 達1、今井 貴大1、須田 善行1、滝川 浩史1、神谷 雅男2、瀧 真3、長谷川 裕史3、辻 信広3、西内 満美子4、榊 泰直4、近藤 公伯4 (1.豊橋技科大、2.伊藤光学、3.オンワード技研、4.原子力機構)
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09:30 〜 09:45
〇上部 宏晃1、長谷川 幸樹1、柳瀬 隆2、長浜 太郎2、島田 敏宏2 (1.北大院総化、2.北大院工)
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09:45 〜 10:00
〇久保 暢也1、サラユット トゥンミー1、周 小龍1、小松 啓志1、齋藤 秀俊1 (1.長岡技科大)
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10:00 〜 10:15
〇久保 暢也1、サラユット トゥンミー1、周 小龍1、小松 啓志1、齋藤 秀俊1 (1.長岡技科大)
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10:30 〜 10:45
〇中村 挙子1、矢野 哲夫1、土屋 哲男1、白川 寛2、寺田 英城3、藤岡 茂正3、檀原 秀誠3、髙木 敏光3 (1.産総研、2.香川県産技セ、3.髙木綱業(株))
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10:45 〜 11:00
河内 佑太1、平塚 傑工2、坪井 仁美2、中森 秀樹2、本間 章彦1、平栗 健二1、〇大越 康晴1 (1.電機大、2.ナノテック（株）)
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11:00 〜 11:15
〇中尾 節男1、山田 保誠1、森口 秀樹2 (1.産総研、2.日本ITF)
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11:15 〜 11:30
〇石黒 菜々子1、賈 軍軍1、黒瀬 愛美2、待永 広宣2、重里 有三1 (1.青学大理工、2.日東電工)
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11:30 〜 11:45
〇中村 和樹1、大橋 遼1、横山 大2、田島 圭一郎2、遠藤 則史2、末光 眞希2、遠田 義晴1、中澤 日出樹1 (1.弘前大院理工、2.東北大通研)
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