一般セッション(口頭講演)

[15a-D63-1~8] 11.1 基礎物性

2016年9月15日(木) 09:15 〜 11:15 D63 (万代島ビル6階D3)

入江晃亘(宇都宮大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[15a-D63-1] ブリッジ型Bi2212固有ジョセフソン接合素子におけるFIBダメージのTEM観察

柿崎佳大¹、小山純平¹、山口彩未¹、梅貝俊平¹、鮎川晋也¹、〇北野晴久¹ (1.青学大理工)

09:30 〜 09:45

[15a-D63-2] 磁性体／固有ジョセフソン接合／磁性体サンドイッチ構造における伝導特性

〇村田健一郎¹、荒川雄太¹、八巻和宏¹、入江晃亘¹ (1.宇都宮大工)

09:45 〜 10:00

[15a-D63-3] 高温超伝導体を用いたテラヘルツ波発振素子のウェットエッチング法による作製

〇小守優貴¹、柴野雄紀¹、南英俊¹、渡邊千春¹、桂川拓也¹、久保裕之¹、坂本和輝¹、田中大河¹、湯浅拓実¹、中村健人¹、太田隆晟¹、桑野玄気¹、田邊祐希¹、柏木隆成¹、辻本学¹、門脇和男¹ (1.筑波大数理物質)

10:00 〜 10:15

[15a-D63-4] 塩酸改質プロセスパラメータがBi-2212固有接合テラヘルツ放射素子の特性に与える影響

〇加藤孝弘¹、川上彰² (1.長岡技術科学大学、2.情報通信研究機構)

10:15 〜 10:30

▲ [15a-D63-5] Circularly-Polarized Terahertz Radiation from a High-Tc Bi-2212 Mesa

〇(D)Asem S Elarabi¹、 Yusuke Yoshioka¹、 Manabu Tsujimoto²、 Takuji Doi¹、 Itsuhiro Kakeya¹ (1.Kyoto Univ.、2.The Univ. of Tsukuba)

10:30 〜 10:45

[15a-D63-6] 高温超伝導体Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δを用いたTHz波発振素子における発振強度の厚さ依存性に関する研究

〇湯浅拓実¹、柏木隆成¹、渡邊千春¹、久保裕之¹、坂本和輝¹、桂川拓也¹、小守優貴¹、田中大河¹、太田隆晟¹、桑野玄気¹、田邊祐希¹、中村健人¹、辻本学¹、山本卓²、南英俊¹、門脇和男¹ (1.筑波大数理物質、2.ウルム大工)

10:45 〜 11:00

[15a-D63-7] 人工ピンを導入したYBCO薄膜の磁場中マイクロ波表面抵抗

〇大嶋重利¹、高梨直希¹、成田克¹、齊藤敦¹ (1.山形大工)

11:00 〜 11:15

[15a-D63-8] YBCO薄膜の表面抵抗の磁場依存性
―印加磁場方向を膜面に平行,垂直及び5度傾けた場合―

〇高梨直希¹、成田克¹、松井浩明²、齊藤敦¹、中島健介¹、大嶋重利¹ (1.山形大工、2.産総研)

一般セッション(口頭講演)

[15p-D63-1~18] 11.1 基礎物性

2016年9月15日(木) 12:45 〜 17:45 D63 (万代島ビル6階D3)

堀井滋(京大)、荻野拓(産総研)、八巻和宏(宇都宮大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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12:45 〜 13:00

[15p-D63-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 乱れの多い鉄系超伝導体の磁束フロー

〇岡田達典¹、鍋島冬樹¹、今井良宗²、前田京剛¹ (1.東大院総合、2.東北大院理)

13:00 〜 13:15

[15p-D63-2] Cu核スピンから見た超伝導性Pr247のCuO₂面

池田宏輔¹、坂井祐大¹、大滝達也¹、〇佐々木進²、石川文洋³、山田裕³、下山淳一⁴ (1.新潟大自、2.新潟大工、3.新潟大理、4.青学院理工)

13:15 〜 13:30

[15p-D63-3] 磁場中コロイドプロセスによる(Y,Er)Ba₂Cu₃O_y二軸配向成型体の作製

〇堀井滋¹、西岡寛弘¹、有本樹¹、土井俊哉¹、下山淳一² (1.京大院エネ科、2.青学大)

13:30 〜 13:45

[15p-D63-4] 双晶を含むREBa₂Cu₃O_y粉末の磁場配向挙動に与える粒度分布の影響

〇西岡寛広¹、堀井滋¹、有本樹¹、土井俊哉¹ (1.京大院)

13:45 〜 14:00

[15p-D63-5] Y(Sr,Ba)₂Cu₃O_z (z≈7) における Mo および W 置換の効果

〇明坂尭¹、平野翔也¹、前田敏彦¹ (1.高知工科大学)

14:00 〜 14:15

[15p-D63-6] Ba-V-O系酸化物の物性・結晶構造及び導電特性

井手本康¹、〇大場亨太¹、石田直哉¹、北村尚斗¹ (1.東理大理工)

14:30 〜 14:45

[15p-D63-7] Nd₂CuO₄構造を持つNd₂PdO₄薄膜の合成

〇七尾美子¹、伊藤陸¹、稲葉颯人¹、内藤方夫¹ (1.農工大工)

14:45 〜 15:00

[15p-D63-8] A HAADF-STEM study of incongruent defects in Ca_1-xSr_xCuO₂

〇池田愛¹、 Krockenberger Yoshiharu¹、山本秀樹¹ (1.NTT物性研)

15:00 〜 15:15

△ [15p-D63-9] 歪による無限層Sr_1-xLa_xCuO₂スパッタ薄膜の超伝導特性制御

〇作間啓太¹、伊藤雅崇²、羽尻哲也²、植田研二²、三浦正志¹、浅野秀文² (1.成蹊大、2.名大院工)

15:15 〜 15:30

[15p-D63-10] 高圧力下磁気測定用のSQUID-VCMシステムの開発

〇美藤正樹¹、入江邦彦¹、高木精志¹、石塚守² (1.九工大、2.阪学リノベ)

15:30 〜 15:45

△ [15p-D63-11] ダイヤモンド電極導入型DACによる超伝導体の高圧力下電気抵抗測定

〇松本凌^1,2、山下愛智^1,2、笹間陽介^1,2、鈴木皓司^1,2、入舩徹男³、田中将嗣¹、竹屋浩幸¹、高野義彦^1,2 (1.物材機構、2.筑波大学、3.愛媛大学)

15:45 〜 16:00

△ [15p-D63-12] FeSe_1-xTe_x薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度制御

〇河野駿介¹、浅見大亮¹、鍋島冬樹¹、今井良宗¹、前田京剛¹、上野和紀¹ (1.東大院総合)

16:15 〜 16:30

[15p-D63-13] 鉄系超伝導体FeSeを用いた人工超格子薄膜の作製およびその輸送特性

〇浅見大亮¹、鍋島冬樹¹、今井良宗²、花輪雅史³、一瀬中³、塚田一郎³、前田京剛¹ (1.東大院総合、2.東北大院理、3.電中研)

16:30 〜 16:45

[15p-D63-14] ヒ素リン混晶1111系鉄系超伝導体におけるスピン揺らぎと超伝導の相関

〇臼井秀知¹、鈴木雄大²、黒木和彦¹ (1.阪大理、2.立命館大総研)

16:45 〜 17:00

[15p-D63-15] (Eu,La)FeAs₂の合成及び物性

Sala Alberto¹、〇荻野拓^1,2、田中隼人²、岸尾光二²、後藤義人¹、片岡邦光¹、伊豫彰¹、永崎洋¹ (1.産総研、2.東大院工)

17:00 〜 17:15

[15p-D63-16] CrPn層を持つ層状化合物の物性制御

〇市原義悠¹、荻野拓^1,2、下山淳一³、岸尾光二¹ (1.東大院工、2.産総研、3.青学大院理工)

17:15 〜 17:30

[15p-D63-17] SmFeAs(O,F)の超伝導特性に対するSn添加効果の機構解明

〇林功輔¹、荻野拓^1,2、下山淳一³、岸尾光二¹ (1.東大院工、2.産総研、3.青学大院理工)

17:30 〜 17:45

[15p-D63-18] NaFを用いたフッ化処理によるA(O,F)BiS₂(A = Bi, La, Pr)
超伝導体の作製

〇高橋夏海¹、長尾雅則¹、綿打敏司¹、田中功¹、高野義彦² (1.山梨大、2.物材機構)

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[15a-D63-1~8] 11.1 基礎物性

[15a-D63-1] ブリッジ型Bi2212固有ジョセフソン接合素子におけるFIBダメージのTEM観察

[15a-D63-2] 磁性体／固有ジョセフソン接合／磁性体サンドイッチ構造における伝導特性

[15a-D63-3] 高温超伝導体を用いたテラヘルツ波発振素子のウェットエッチング法による作製

[15a-D63-4] 塩酸改質プロセスパラメータがBi-2212固有接合テラヘルツ放射素子の特性に与える影響

▲ [15a-D63-5] Circularly-Polarized Terahertz Radiation from a High-Tc Bi-2212 Mesa

[15a-D63-6] 高温超伝導体Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δを用いたTHz波発振素子における発振強度の厚さ依存性に関する研究

[15a-D63-7] 人工ピンを導入したYBCO薄膜の磁場中マイクロ波表面抵抗

[15a-D63-8] YBCO薄膜の表面抵抗の磁場依存性
―印加磁場方向を膜面に平行,垂直及び5度傾けた場合―

[15p-D63-1~18] 11.1 基礎物性

[15p-D63-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 乱れの多い鉄系超伝導体の磁束フロー

[15p-D63-2] Cu核スピンから見た超伝導性Pr247のCuO₂面

[15p-D63-3] 磁場中コロイドプロセスによる(Y,Er)Ba₂Cu₃O_y二軸配向成型体の作製

[15p-D63-4] 双晶を含むREBa₂Cu₃O_y粉末の磁場配向挙動に与える粒度分布の影響

[15p-D63-5] Y(Sr,Ba)₂Cu₃O_z (z≈7) における Mo および W 置換の効果

[15p-D63-6] Ba-V-O系酸化物の物性・結晶構造及び導電特性

[15p-D63-7] Nd₂CuO₄構造を持つNd₂PdO₄薄膜の合成

[15p-D63-8] A HAADF-STEM study of incongruent defects in Ca_1-xSr_xCuO₂

△ [15p-D63-9] 歪による無限層Sr_1-xLa_xCuO₂スパッタ薄膜の超伝導特性制御

[15p-D63-10] 高圧力下磁気測定用のSQUID-VCMシステムの開発

△ [15p-D63-11] ダイヤモンド電極導入型DACによる超伝導体の高圧力下電気抵抗測定

△ [15p-D63-12] FeSe_1-xTe_x薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度制御

[15p-D63-13] 鉄系超伝導体FeSeを用いた人工超格子薄膜の作製およびその輸送特性

[15p-D63-14] ヒ素リン混晶1111系鉄系超伝導体におけるスピン揺らぎと超伝導の相関

[15p-D63-15] (Eu,La)FeAs₂の合成及び物性

[15p-D63-16] CrPn層を持つ層状化合物の物性制御

[15p-D63-17] SmFeAs(O,F)の超伝導特性に対するSn添加効果の機構解明

[15p-D63-18] NaFを用いたフッ化処理によるA(O,F)BiS₂(A = Bi, La, Pr)
超伝導体の作製

認証

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[15a-D63-1~8] 11.1 基礎物性

▲ [15a-D63-5] Circularly-Polarized Terahertz Radiation from a High-Tc Bi-2212 Mesa

[15p-D63-1~18] 11.1 基礎物性

△ [15p-D63-9] 歪による無限層Sr1-xLaxCuO2スパッタ薄膜の超伝導特性制御

△ [15p-D63-11] ダイヤモンド電極導入型DACによる超伝導体の高圧力下電気抵抗測定

△ [15p-D63-12] FeSe1-xTex薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度制御

認証

△ [15p-D63-9] 歪による無限層Sr_1-xLa_xCuO₂スパッタ薄膜の超伝導特性制御

△ [15p-D63-12] FeSe_1-xTe_x薄膜の電気化学的エッチングによる超伝導転移温度制御