9:45 AM - 10:00 AM
△ [13a-A21-4] Defect control with fluorine for GaN-MIS type electronic devices
Keywords:group-III nitride, first-principles calculation, electronic structure
GaN系パワーデバイスにおいて，近年MIS構造を用いたデバイスの研究が盛んに進められている．この実現のためには，窒化物半導体に特有の高温成長条件にも耐える安定な欠陥終端方法が必要である．本研究では反応性の高さと拡散に適した小さな原子半径からフッ素を終端元素の候補に挙げ，欠陥の終端前後の電子状態を調べたところ，ギャップ中の欠陥準位が除去されることがわかり，フッ素による欠陥終端の有効性が示された．