[13a-A21-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13a-A21-5] Characterization of GaN-Based UV-LEDs using a Laser Terahertz Emission Microscope

〇Tatsuhiko Nishimura¹, Fujikazu Kitamura¹, Minoru Mizubata¹, Hidetoshi Nakanishi¹, Yuji Sakai², Iwao Kawayama², Masayoshi Tonouchi² (1.SCREEN, 2.ILE Osaka Univ.)

Keywords:Terahertz Wave, GaN, gallium nitride, UV-LED

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)は、試料にフェムト秒レーザーパルスを照射し、放射されるTHz波を検出することで分析を行う技術である。我々はLTEMを太陽電池評価やGaNウェハ評価に適用してきた。一方、GaN系青色･紫外線LEDは産業用途として高い光強度が要求されるが、駆動に伴う特性劣化が指摘されている。今回、我々は、光量低下したGaN系UV-LEDをLTEMによって計測した。当日は、光量低下のないLEDとの比較・考察について説明する。