X線吸収微細構造測定によるAl<sub>0.82</sub>In<sub>0.18</sub>Nの局所構造解析

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13a-A21-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月13日(火) 09:00 〜 11:45 A21 (メインホールA)

11:00 〜 11:15

〇(M1)清木良麻¹、小森大資¹、池山和希¹、伊奈稔哲²、小沼猛儀³、宮嶋孝夫¹、竹内哲也¹、上山智¹、岩谷素顕¹、赤崎勇¹ (1.名城大理工、2.高輝度光科学研、3.工学院大工)

キーワード：窒化物半導体、X線吸収微細構造、分布ブラッグ反射鏡