[13a-A25-1~11] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[13a-A25-3] Si基板上に形成したチタン酸ビスマス薄膜の結晶配向

〇香野 淳¹、田尻 恭之¹ (1.福岡大理)

キーワード：強誘電体薄膜、Ｘ線反射率、強誘電体トランジスタ型メモリ構造

化学溶液堆積法を用いてSi(100)基板上に直接堆積、結晶化したBi_4-xLa_xTi₃O₁₂ (BLT) 薄膜はa, b軸優先配向を有することが分かった。溶液を調整して膜厚を変化させ、結晶配向、格子歪み、界面層厚さなどを調べた。それらの膜厚変化をもとにSi基板上での結晶化について議論する。