[13a-A25-1~11] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[13a-A25-9] シンクロトロンＸ線回折と硬Ｘ線光電子分光によるMg_xNi_1-xO エピタキシャル薄膜の原子スケール構造と電子構造の解析

〇坂田 修身^1,2、Chen Yanna¹、山内 諒輔²、Yang Anli¹、L.S.R Kumara¹、宋 哲昊¹、Palina Natalia¹、松田 晃史²、吉本 護² (1.物材機構、2.東工大)

キーワード：シンクロトロンＸ線回折、X線逆格子マッピング、硬Ｘ線光電子分光

Mg_xNi_1-xO (0 ≤ x ≤0.52) (111) 薄膜のMgドープによる格子歪や電子構造の影響を調べた。約40 nmの薄膜は、パルスレーザー法により超平坦サファイア基板(0001)上にエピタキシャル成長された。 シンクロトロンＸ線による逆格子マッピングと硬Ｘ線光電子分光を用いた。SPring-8のNIMS ビームライン BL15XUで測定された。構造は格子定数、結晶モザイク度、デバイパラメータによる静的な原子の乱れで議論された。加えて、電子構造もCI モデルで議論された。