[13a-A31-1~11] 6.3 Oxide electronics

[13a-A31-4] Growth of VO₂ thin films on ZnO/glass by reactive sputtering method and their properties

〇Kenta Sato¹, Hiroaki Hoshino¹, Md. Suruz Mian¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:vanadium dioxide, oriented growth, zinc oxide

VO₂は比較的室温に近い68℃付近で絶縁体-金属相転移(IMT)を示し, 赤外光領域の透過率も変化することから電気的, 光学的な応用が期待されている. 今回は低温成長によってフレキシブルデバイスへの応用が期待されているZnO上へVO₂を低温成長させ, その電気的, 光学的な特性を調べた. 作成したVO₂サンプルはZnO上へのb軸配向成長が見られ, 65℃付近から10¹ほどの転移特性が得られた. 講演ではこれらの電気的, 光学的特性について発表する.