[13a-A31-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[13a-A31-4] ZnO/glass上への反応性スパッタ法によるVO₂薄膜の低温成長と特性評価

〇佐藤 賢太¹、星野 寛明¹、モハメッド シュルズ ミヤ¹、沖村 邦雄¹ (1.東海大院工)

キーワード：VO2、配向成長、ZnO

VO₂は比較的室温に近い68℃付近で絶縁体-金属相転移(IMT)を示し, 赤外光領域の透過率も変化することから電気的, 光学的な応用が期待されている. 今回は低温成長によってフレキシブルデバイスへの応用が期待されているZnO上へVO₂を低温成長させ, その電気的, 光学的な特性を調べた. 作成したVO₂サンプルはZnO上へのb軸配向成長が見られ, 65℃付近から10¹ほどの転移特性が得られた. 講演ではこれらの電気的, 光学的特性について発表する.