[13a-B9-1~11] 8.4 Plasma etching

[13a-B9-4] Molecular dynamics simulation of surface reactions in atomic layer etching (ALE) of SiN

〇RYOKO SUGANO¹, MICHORO ISOBE², SATOSHI HAMAGUCHI² (1.Hitachi., Ltd., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Molecilar Dynamic Simulation, Atomic Layer Etching, SiN surface

閾値以下の入射エネルギーのCF₃⁺とほぼ熱速度の水素ラジカルからなる混合プラズマを用いたSiN 膜に対するALEの可能性をＭＤシミュレーションにより検討した。CF₃⁺イオンに対する水素ラジカルのフラックス比を変化させた場合のイオン・ラジカル入射シミュレーションを行った。この結果、CF₃⁺イオンに対する水素ラジカルのフラックス比が100 以上の場合にはエッチングが誘起されることが分かった。