The 77th JSAP Autumn Meeting, 2016

Presentation information

Oral presentation

8 Plasma Electronics » 8.4 Plasma etching

[13a-B9-1~11] 8.4 Plasma etching

Tue. Sep 13, 2016 9:00 AM - 11:45 AM B9 (Exhibition Hall)

Keizou Kinoshita(PETRA)

9:45 AM - 10:00 AM

[13a-B9-4] Molecular dynamics simulation of surface reactions in atomic layer etching (ALE) of SiN

RYOKO SUGANO1, MICHORO ISOBE2, SATOSHI HAMAGUCHI2 (1.Hitachi., Ltd., 2.Osaka Univ.)

Keywords:Molecilar Dynamic Simulation, Atomic Layer Etching, SiN surface

閾値以下の入射エネルギーのCF3+とほぼ熱速度の水素ラジカルからなる混合プラズマを用いたSiN 膜に対するALEの可能性をMDシミュレーションにより検討した。CF3+イオンに対する水素ラジカルのフラックス比を変化させた場合のイオン・ラジカル入射シミュレーションを行った。この結果、CF3+イオンに対する水素ラジカルのフラックス比が100 以上の場合にはエッチングが誘起されることが分かった。