[13a-B9-1~11] 8.4 プラズマエッチング

[13a-B9-4] SiN 原子層エッチングにおける表面反応分子動力学シミュレーション

〇菅野 量子¹、礒辺 倫郎²、浜口 智志² (1.日立研開、2.阪大工)

キーワード：ＭＤシミュレーション、原子層エッチング、ＳｉＮ膜

閾値以下の入射エネルギーのCF₃⁺とほぼ熱速度の水素ラジカルからなる混合プラズマを用いたSiN 膜に対するALEの可能性をＭＤシミュレーションにより検討した。CF₃⁺イオンに対する水素ラジカルのフラックス比を変化させた場合のイオン・ラジカル入射シミュレーションを行った。この結果、CF₃⁺イオンに対する水素ラジカルのフラックス比が100 以上の場合にはエッチングが誘起されることが分かった。