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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月13日(火) 13:15 〜 18:00 A21 (メインホールA)

荒木努(立命館大)、有田宗貴(東大)、村上尚(農工大)

16:00 〜 16:15

[13p-A21-10] RF-MBE法を用いたEu添加GaNナノコラムのV/III族供給比依存性

〇今西智彦¹、関口寛人¹、尾崎耕平¹、山根啓輔¹、岡田浩¹、岸野克巳²、若原昭浩¹ (1.豊技大、2.上智大)

キーワード：希土類添加半導体、Eu、ナノコラム