[13p-A21-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A21-12] ハイドライド気相成長法を用いた全面低転位GaN基板の作製

〇行實 孝太¹、河原 慎¹、在田 直起¹、松原 徹¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学)

キーワード：窒化ガリウム、ハイドライド気相成長法、転位