[13p-A21-1~16] 15.4 III-V-group nitride crystals

[13p-A21-14] Revelation and categorization of dislocations in HVPE-GaN by etch pit method

〇Yongzhao Yao¹, Yukari Ishikawa^1,2, Yoshihiro Sugawara¹, Daisaku Yokoe¹, Masaki Sudo², Narihito Okada³, Kazuyuki Tadatomo³ (1.JFCC, 2.NIT, 3.Yamaguchi Univ.)

Keywords:GaN, etch pit, dislocation

GaN単結晶における種々の貫通転位（刃状、らせんおよび混合転位）を全て検出・分類する技術が結晶成長や素子不良解析に重要である。本研究では、強い酸化剤Na₂O₂を添加した溶融KOHを用いたエッチピット法で、HVPE法GaN単結晶の貫通転位の検出・分類について検討した。その結果をCLマッピングで得た転位のキャリア再結合強度と比較した。また、TEMを用い、ピット直下の転位構造を観察し、転位分類の精度を検証した。