[13p-A22-1~5] 酸化物エレクトロニクスの未来展望を描く

[13p-A22-1] なぜa-IGZO TFTが実用化されたのか

〇神谷 利夫¹、細野 秀雄¹ (1.東京工業大学)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、薄膜トランジスタ、実用化

アモルファス酸化物半導体(AOS) で初めての薄膜トランジスタ(TFT) を報告したのは2004年であるが、それから8年たって、2012年にシャープが実用化した。酸化物が「半導体デバイスらしい」用途で実用化になったのはAOSが初めての材料である。本講演では他の関連材料・デバイスの開発・実用化がどうであったかと比較しながら、なぜ、AOS TFTの実用化に成功したのか、私見を中心にまとめてみたい。