[13p-A23-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[13p-A23-8] Nd添加BFO薄膜の抵抗スイッチングと光起電力

〇森本 章治¹、横田 雄介²、川畑 創² (1.金沢大理工、2.金沢大院自然)

キーワード：マルチフェロイック薄膜、抵抗変化メモリ、光起電力効果

SRO酸化物電極膜を堆積したNb:STO単結晶基板上に、10wt%Nd添加したBi_1.0Nd_0.1Fe_1.0O₃(BNF)強誘電体薄膜をPLD法により作製し、最後に上部電極を堆積した。そのキャパシタ構造の抵抗変化メモリ効果や光起電力効果について調査を行い、その動作モデルの検討を行った。