[13p-A23-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[13p-A23-7] Investigation on the relation of ferroelectricity and resistive hysteresis of BaTiO₃ thin film for ReRAM

〇Toshiyuki Sugie¹, So Maejima¹, Kaoru Yamashita¹, Minoru Noda¹ (1.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:BaTiO3, ReRAM, Ferroelectric

抵抗変化型メモリの候補材料の一つであるBaTiO₃薄膜を有機金属化合物分解法において作製し、その作製条件を最適化することによってBaTiO₃薄膜内に存在する酸素欠陥の低減と膜厚制御を行うことによって強誘電性を発現させた。これまでの研究発表では強誘電性が抵抗ヒステリシス特性に与える効果やそのメカニズムについてあまり議論されていないため、今回の研究ではそれについて研究を行った。