[13p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[13p-A26-3] イオン飛跡に沿って形成されるNVセンターのスピン特性

〇小野田 忍¹、立見 和雅²、春山 盛善^1,2、寺地 徳之³、磯谷 順一⁴、山野 颯⁵、川原田 洋⁵、加田 渉²、花泉 修²、大島 武¹ (1.量研機構、2.群馬大、3.物材機構、4.筑波大、5.早大)

キーワード：NVセンター、イオン飛跡、ダイヤモンド

NVセンターを配列上に形成すると量子レジスタとして利用できる。その実現のためにナノホールマスクや収束イオンビームを使う方法が一般的に採用されている。本研究では、数百MeVの高エネルギー重イオンがダイヤモンド中に直線状にNVセンターを形成する特徴を利用し、量子レジスタ用のNVセンター配列の形成を試みた。