[13p-A31-1~10] STMノーベル賞&AFM発明30周年記念シンポジウム　～プローブ顕微鏡のこれまでとこれから～

[13p-A31-10] Si及びBeyond Siトランジスタ動向とSPM技術

〇臼田 宏治¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：SPM、SI、トランジスタ

Si半導体トランジスタ（Tr）は、1974年に提唱された「scaling 則」を基本原理として過去30年以上もの長きに亘る発展を維持してきた。しかしながら近年、その限界「Si-LSIロードマップの破綻」が論じられ、微細化に頼らない素子の開発に注目が集まっている。一方、最新素子のゲート長は既にsub-10nmに達し、ナノスケールの構造評価の重要性は増すばかりである。そこで本稿では、近年のSi系Tr開発動向とその開発に資すると期待されるSPM技術について紹介する。