[13p-A35-1~15] 13.9 Optical properties and light-emitting devices

△ [13p-A35-2] Quantitative analysis on energy transfer process for Eu luminescent centers in Eu-doped GaN

〇(D)Tomohiro Inaba¹, Takanori Kojima¹, Genki Yamashita², Masaaki Ahida², Yasufumi Fujiwara¹ (1.Graduate School of Engineering, Osaka Univ., 2.Graduate School of Engineering Science, Osaka Univ.)

Keywords:GaN, Eu

我々はEu添加GaN (GaN:Eu)を用いた発光ダイオード(LED)の作製に成功しているが、実用化に向け更なる発光強度増大が必要である。GaN:Euの発光強度を増大させるためには、発光メカニズムに対する深い理解が不可欠である。本研究では、種々のエネルギー輸送パスを考慮したレート方程式に基づいて、短パルス光励起における励起初期の応答を解析することにより、GaNからEuへのエネルギー輸送過程を定量的に調べた。