[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

[13p-A35-4] 多重量子ブロック層を用いたEu添加GaN赤色LEDの発光強度増大

〇山田 智也¹、稲葉 智宏¹、児島 貴徳¹、小泉 淳¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工)

キーワード：LED、GaN、Eu

我々は、OMVPE法によりEu添加GaNを用いた発光ダイオードを作製し、室温・電流注入下でEuに起因する赤色発光を得ることに成功している。本研究では多重量子ブロック層を用いて活性層からの電子のオーバーフローを抑制することで、光出力の増大を目指した。実験の結果、電子のオーバーフローを抑えることで発光強度が増大すること，単層の障壁よりも超格子からなる量子障壁のほうが光出力の増大に有効であることが分かった。