[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [13p-A35-7] BeドープInGaAsPバルクにおけるスピン緩和時間のキャリア濃度依存性(10-300 K)

〇山田 築¹、大木 俊介¹、石川 友樹¹、亀崎 拓也¹、Lu Shulong²、Ji Lian²、竹内 淳¹ (1.早大先進理工、2.SINANO-CAS)

キーワード：スピン、InGaAsP、キャリア濃度依存性

InGaAsPは太陽電池などの観点から応用が期待されており、スピンに対する研究も注目されている。ドーピングによるキャリア濃度の上昇によってキャリア寿命が短縮される報告はいくつかあるが、キャリア濃度とスピン緩和時間の関係について報告は少ない。本研究では、異なるキャリア濃度のInGaAsPバルクについてスピン緩和過程を時間分解ポンププローブ反射計測により調べ、キャリア濃度依存性を初めて明らかにした。