[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

[13p-A35-9] β-FeSi₂薄膜の低温でのフォトルミネッセンス発光

〇秋山 賢輔^1,2、松本 佳久¹、舟窪 浩² (1.神奈川産技セ、2.東工大物質理工)

キーワード：鉄シリサイド半導体、薄膜、フォトルミネッセンス特性

シリサイド半導体の一つである鉄シリサイド半導体(β-FeSi₂)は、1.55μm帯域での発光（フォトルミネッセンス(PL)、エレクトロルミネッセンス(EL)）が報告され、その実用化には発光効率の向上が求められている。これまでに我々は、Si基板表面の改質を行うことによって合成されたβ-FeSi₂薄膜の 10KでのPL発光強度が増大化することを報告した。このPL発光強度の増大化は薄膜内部、およびSiとのヘテロ界面部の非輻射再結合中心密度が低減することに起因すると考える。本発表では、ポストアニーリング処理で十分に増大化させたPL発光の温度依存性、及び励起光強度依存性について調査した結果を報告する。