[13p-B11-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

[13p-B11-4] 上部Al電極作製時の基板温度上昇がOLEDの動作特性に与える影響

〇星 陽一¹、濱口 大地¹、小林 信一¹、澤田 豊¹、内田 孝幸¹、安田 洋司² (1.東京工芸大工、2.神奈川県産技短大)

キーワード：有機EL素子、蒸着法、スパッタ法

上部Al電極膜を低ダメージスパッタ法で作製した場合と蒸着法で作製した場合に、成膜中の基板温度が大きく異なることに注目し、成膜中の基板温度上昇が、有機EL素子の発光特性に及ぼす影響を詳細に検討した。その結果、蒸着法では、通常の成膜条件で蒸着源からの輻射熱で７６℃以上に達し、この成膜中の基板温度上昇を43℃以下に抑制すると、発光電圧が嫌儲に高くなること、スパッタ法で成膜したあと、真空中で加熱処理することで動作電圧が低下して通常の蒸着法で得られる素子とほぼ同程度の発光特性を示すようになることが明らかになった。