[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-B13-4] 負性容量によるトンネルFETの性能向上負性容量によるトンネルFETの性能向上

〇小林 正治¹、蔣 京珉¹、上山 望¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：負性容量、トンネルFET、エネルギー効率

急峻スロープトランジスタであるトンネルFETと負性容量FETの特徴を組み合わせて超急峻スロープトランジスタを実現できる可能性がある。本研究では負性容量によるチャネルポテンシャル増幅の効果により、トンネルFETのバンド間トンネルを増大させることをねらった新しいトランジスタ、負性容量トンネルトランジスタを提案し、そのシミュレーション方法と設計手法を構築、エネルギー効率についてのベンチマークを行う。