[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [13p-B13-7] エネルギー緩和速度がGeおよびSiナノワイヤの準バリスティック正孔輸送能力に与える影響

〇田中 一¹、須田 淳¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：ナノワイヤ、準バリスティック、ゲルマニウム

原子論的なモデルに基づき，ボルツマン輸送方程式を解くことで，GeおよびSiのナノワイヤにおける準バリスティック正孔輸送特性を解析した．その結果，Geナノワイヤの準バリスティック正孔輸送能力は移動度や注入速度から期待されるほど高くなく，Siナノワイヤと同程度となった．これは，Geにおける正孔のエネルギー緩和が遅いため，後方散乱が正孔のソースへの逆流に寄与する距離がSiより長くなることから理解できた．