14:15 〜 14:45
[13p-B8-2] Si結晶育成における点欠陥制御
キーワード:シリコン、点欠陥、成長時導入欠陥フリー結晶
過去、半世紀におよぶ半導体デバイスのめざましい発展に伴い、それを支えてきた基盤材料であるSi結晶の育成技術も飛躍的な改良が重ねられ、2000年以降には、点欠陥制御によるGrown-in欠陥フリーの300mm結晶の量産化を実現するに至った。本報告では、このようなGrown-in欠陥フリー結晶の開発の経緯を振り返るとともに、今後の課題について言及する。
シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 古くて新しい点欠陥 ~材料を越えた視点から見えてくるもの~
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キーワード:シリコン、点欠陥、成長時導入欠陥フリー結晶