[13p-B8-1~10] 古くて新しい点欠陥　～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[13p-B8-4] シリコンウェーハ中のサーマルドナー形成におよぼす点欠陥の影響

〇鳥越 和尚¹、小野 敏昭¹ (1.株式会社SUMCO)

キーワード：シリコン、サーマルドナー、点欠陥

シリコン結晶中では400～500℃程度の熱処理でサーマルドナー（TD）が形成されることが知られている。TDは酸素のクラスターであり、シリコン結晶中の点欠陥である空孔によってその形成が抑制され、格子間シリコンによって促進されることが報告されている。本研究では、点欠陥に起因する様々なGrown-in欠陥を持ったシリコンウェーハを用いてTDの形成を調べ、その形成が酸素析出物の密度に依存して促進されることを見出した。